TDKEPCOS薄膜电容, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656S2474J563

TDKEPCOS薄膜电容, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656S2474J563

电容器的频率特性是厂家所关注的一项重要指标，它关系到一个产品的设计成功与失败。
它与电容器的使用材料和制造方法密切相关，选用不同的材料和方法所制造出来的电容器
产品性能的差异是巨大的，而电容器厂家会根据电容器的用途而去选用不同的材料和方法。
随着施加于电容器两端频率的升高，电容器的损耗加大，容量降低，耐压下降。而我们
生产的薄膜电容器，在出售之前都会进行频率特性测试，下面介绍下我们的测试。

薄膜电容器工作频率特性测试

1.选取一只联接可调频率电压源上，将温度传感器坚固电容器上。

2.打开可调频率电压源，调度至适合的电压值，频率调度至最低，并用存储示波器观察波形。

3.垂垂升高频率至30khz保持10分钟并记录温度值，后每增加5khz保持10分钟并记录温度值。

4.当达到80khz每次增加1khz 保持10分钟并记录温度值，直至达到电容器最高工作温度，停
止测试。

哪些外在因素会影响到薄膜电容器的性能

影响薄膜电容器的常见原因

一、使用中出问题的原因
1.运行电压过高引起移相电容器过早淘汰，电容器的功率损耗和发热量都和运行电压的平方成正比，运行电压的升高，使电容器温度显著增加，另外在长期电场的作用下，会加速电容器绝缘的老化

2.操作过电压引起电容器的损坏，切断并联电容器组时，可能引起电感一电容回路的振荡过程。从而产生操作过电压，切断过程中，如果断路器发生电弧重燃，将引起强烈的电磁振荡，出现更高的过电压值。这一过电压的幅值，与被切电容和母线侧电容的大小有关，也与电弧重燃时触头间的电位差有关。

3.带电荷合闸引起电容器的爆破，任何额定电压的电容器组，均应禁止带电荷合闸。电容器组每次重新合闸，必须于开关断开电容器放电3min后进行。

二、运行温度过高造成移相电容器的损坏

1.环境温度过高，目前YY型及YL型移相电容器周围空气温度系按一25-40C设计。环境温度不超过40‘C的要求，在我国许多地区难以满足。因此，新型的低压无功补偿装置，其周围空气温度系按一30-55C设计。

2.户外式电容器日光直接照射，移相电容器露天装设于变电站或配电线路上时，由于日光直接照射下，由于超温运行原因。年损坏率很高，有的可达10%左右。尤以装于户外铁质配电箱中，散热不良，夏季损坏率特别高。另外在酷热天气突然下暴雨时，也会集中造成损坏。

3.通风散热不足

三、网络离次谐波的影响


1.使电容器组的运行电流和输出无功功率，大幅度地超过额定值。

2.当电源电压波形中某次谐波频率。接近于网络的自然频率时，可能产生谐波共振过电压


四、开关设备性能的影晌

电容器在被切除时，如果开关不重燃、开断时不会产生过电压。也不会产生过电流。提高开关投切电容电流的能力是减少事故和延长电容器使用寿命的一个重要方面。

影响薄膜电容器容量大小的原因

薄膜电容器的容量大小取决于薄膜金属层面积的大小，所以容量的下降主要就是金属镀层受外界因素影响，面积减少而产生的。在电容器制作过程中，膜层之间存在微量的空气，且较难完全消除。电容器工作时，空气在电场作用下，有可能被电离。空气电离后产生臭氧，臭氧是一种不稳定的气体，常温下自行分解为氧，是一种强氧化剂，低浓度下可瞬间完成氧化作用。金属化薄膜的金属镀层（成份为Zn/Al）遇到臭氧分解的氧后立即氧化，生成透明不导电的金属氧化物ZnO和Al2O3，实际表现为板面积减小，电容器容量下降。因此消除或减少膜层间的空气，可以减缓电容量衰减。当膜层间的空气被外界水份侵入时，空气的击穿电位会降低，加快空气电离，产生大量的臭氧，氧化金属化薄膜的金属镀层，电容器的容量会迅速下降。

TDK成功开发高Q特性的薄膜电容器

TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时 TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。

该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时实现了面向智能手机等高性能移动设备和高频模块产品的高特性与小型超薄化。尤其值得一提的是，凭借薄膜工法实现了优良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通过薄膜材料和最佳形状设计，与以往产品相比达到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高达6.8GHz(2.2pF)。通过这些特性，该本产品可在阻抗匹配电路中发挥优良的高频特性，因此命名为“Z-match”。